Transistor MOSFET SCT2H12NZ
de potenciade conmutaciónde silicio

Transistor MOSFET - SCT2H12NZ - ROHM Semiconductor - de potencia / de conmutación / de silicio
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Características

Tipo
MOSFET
Tecnología
de potencia, de conmutación
Otras características
de silicio
Corriente

3,7 A

Tensión

1.700 V

Descripción

MOSFET de potencia de SiC (carburo de silicio) de canal N. Baja resistencia a la conexión Rápida velocidad de conmutación Larga distancia de fuga Fácil de accionar Revestimiento de plomo sin Pb; cumple la directiva RoHS

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Ferias

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ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

10-13 nov. 2026 Munich (Alemania) Hall C3 - Stand 520

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