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Módulo de transistor MOSFET SCT2H12NY
de conmutaciónde potenciade silicio

Módulo de transistor MOSFET - SCT2H12NY - ROHM Semiconductor - de conmutación / de potencia / de silicio
Módulo de transistor MOSFET - SCT2H12NY - ROHM Semiconductor - de conmutación / de potencia / de silicio
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Características

Tipo
MOSFET
Tecnología
de conmutación, de potencia
Otras características
de silicio
Corriente

4 A

Tensión

1.700 V

Descripción

MOSFET de potencia de SiC (carburo de silicio) de canal N. Baja resistencia a la conexión Rápida velocidad de conmutación Larga distancia de fuga sin cable central Fácil de accionar Revestimiento de plomo sin Pb; cumple la directiva RoHS

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Traducción automática  (ver el original en inglés)

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ELECTRONICA 2026
ELECTRONICA 2026

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