MOSFET resistencia de alta tensión SCT4018KTW

de alta velocidadSiCpara aplicaciones automovilísticas

Resumen
Dispositivo SiC MOSFET de 4.ª generación (estructura trench) en paquete SMD TSC3PAK con disipación térmica superior. La superficie de disipación en la parte superior permite el montaje automático en SMT y ofrece rendimiento térmico similar al de paquetes con montaje por inserción. Una estructura de ranura propietaria asegura una distancia de fuga de 6,66 mm, permitiendo soportar picos AC de 1200 V en ambientes de grado de contaminación 2. El dispositivo proporciona bajo RDS(on) y conmutación rápida para reducir pérdidas en aplicaciones de conversión de potencia.

Resumen del producto
1200 V, 79 A, MOSFET SiC SMD de 9 pines (Trench), TSC3PAK, baja RDS(on)

Detalles de la pieza
Número de pieza | SCT4018KTWTCR
Estado | Recomendado
Paquete | TSC3PAK (disipación superior)
Tipo de embalaje | Taping
Cantidad por unidad | 600
Cantidad mínima por paquete | 600
RoHS | Sí
MSL | 1

Características

• Gran distancia de fuga: min. 6,66 mm
• Baja resistencia en estado ON (bajo RDS(on))
• Alta velocidad de conmutación
• Recuperación inversa rápida
• Fácil de paralelizar para mayor corriente
• Requisitos de control de puerta sencillos
• Chapado de patillas sin plomo; conforme a RoHS

Antecedentes de desarrollo
El paquete TSC3PAK sitúa la superficie de disipación en la parte superior, combinando alto rendimiento térmico con formato SMD compatible con montaje automático. La estructura de ranura garantiza una distancia de fuga de 6,66 mm para un diseño de aislamiento seguro frente a picos AC de 1200 V en grado de contaminación 2. Junto con la tecnología SiC trench de 4.ª generación de ROHM, el dispositivo logra bajo RDS(on) y conmutación rápida para reducir pérdidas y mejorar la eficiencia en la conversión de potencia.

Ejemplos de aplicación

• Cargadores a bordo (xEV OBC)
• Compresores eléctricos para xEV
• Inversores fotovoltaicos (PV)
• Fuentes de alimentación para servidores y sistemas de potencia industriales

Especificaciones técnicas

• Tensión drenador‑fuente (V): 1200
• Resistencia drenador‑fuente en conducción (Typ.) (mΩ): 18
• Generación: 4th Gen (Trench)
• Corriente de drenador (A): 79
• Disipación de potencia total (W): 294
• Temperatura de juntura (Max.) (°C): 175
• Temperatura de almacenamiento (Min.) (°C): -40
• Temperatura de almacenamiento (Max.) (°C): 175
• Tamaño del paquete (mm): 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Paquete: TSC3PAK (disipación superior)
• Embalaje: Taping; Cantidad por unidad: 600; Cantidad mínima: 600