Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30902SH-TC

Módulo fotodiodo de avalancha (APD) - C30902SH-TC - Excelitas Technologies - PCO
Módulo fotodiodo de avalancha (APD) - C30902SH-TC - Excelitas Technologies - PCO
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Descripción

Descripción del producto
Los fotodiodos avalancha de silicio (Si APD) Excelitas C30902SH son APD de gran área y alta velocidad que ofrecen elevada responsividad con bajo ruido. Están optimizados para funcionamiento en modo Geiger (VOP > VBD) para detección de fotones únicos o en modo lineal (VOP < VBD) con ganancias de hasta 250. El C30902SH-TC está diseñado para detección en niveles de luz ultrabajos (potencias ópticas < 1 pW) y puede alcanzar probabilidades de detección de un solo fotón de aproximadamente 50 % en modo Geiger. Se ofrecen opciones de refrigeración termoeléctrica integrada (una o dos etapas) para mejorar el recuento oscuro y la estabilidad.

Características y ventajas
  • APD Si de 0,5 mm en carcasa TO-66
  • Alta eficiencia cuántica — 84 % típico a 800 nm
  • Ruido extremadamente bajo a 0 °C
  • Alta responsividad — ganancias de avalancha internas > 250
  • Rango espectral: 400 nm – 1100 nm
  • Respuesta temporal — típico 0,4 ns
  • Amplio rango de temperatura de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
  • Opción de enfriador TE integrado (sufijo «-TC» para single-stage)


Notas clave de rendimiento
Puede utilizarse en modo lineal con ganancias típicas ≈ 250 o superiores. En modo Geiger, el dispositivo muestra tasas de cuenta oscura bajas y estables y baja post-pulsación; en este modo no suele ser necesaria amplificación externa para la detección de un solo fotón.

Aplicaciones
  • LiDAR / sistemas Time-of-Flight (ToF)
  • Comunicación cuántica e investigación
  • Contaje de fotones / detección de fotones únicos
  • Reflectometría en el dominio del tiempo óptico (OTDR)
  • Escaneo y barrido láser


Características / Especificaciones técnicas
  • Área activa: 0,2 mm²
  • Diámetro activo: 0,5 mm
  • Tensión de ruptura: típ. 225 V
  • Capacitancia: típ. 1,5 pF
  • Coeficiente de temperatura: típ. 0,7 V/°C
  • Corriente de oscuridad: 2 nA
  • Ruido oscuro: 0,04 pA/√Hz
  • Potencia equivalente de ruido: 0,29 fW/√Hz
  • Responsividad típica: 135 A/W a 800 nm
  • Ganancia recomendada: 250
  • Carcasa: TO-66

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Ferias

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 nov. 2026 Munich (Alemania) Hall B4 - Stand 302

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