Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30659-1060-R8BH

Descripción del producto
La serie C30659 de receptores ópticos APD híbridos integra una fotodiodo de avalancha de Silicio (Si) y un preamplificador híbrido en un encapsulado TO-8 herméticamente sellado para operación con ruido ultra bajo. El C30659-1060-R8BH incorpora un Si APD C30954EH optimizado a 1060 nm con un diámetro activo de 0,8 mm.

Características

• Diseño de amplificador inversor con seguidor de emisor utilizado como etapa buffer de salida.
• Los Si APD empleados son los mismos que en los productos Excelitas C30817EH, C30902EH, C30954EH y C30956EH; los APD InGaAs se usan en los productos C30645EH y C30662EH.
• Los detectores proporcionan buena respuesta entre 830 y 1550 nm y tiempos de subida/bajada muy rápidos en todas las longitudes de onda.
• La sección de preamplificador utiliza una etapa de entrada GaAs FET de muy bajo ruido diseñada para operar a una transimpedancia superior a la de la serie estándar C30950.

Documentación
Hoja de datos: receptor Si APD serie C30659 de Excelitas (hoja de producto disponible).

Especificaciones técnicas

• Ancho de banda del sistema: 200 MHz
• Potencia equivalente de ruido ultra baja (NEP):
  • 55 fW/√Hz a 900 nm
  • 100 fW/√Hz a 1064 nm
• Rango de respuesta espectral: 400 a 1100 nm, optimizado a 1060 nm
• Consumo típico: 150 mW
• Tensiones de funcionamiento del amplificador: ±5 V
• Capacidad de carga 50 Ω en AC (AC-coupled)
• Encapsulado TO-8 herméticamente sellado
• Alta fiabilidad