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- Fotodiodo de silicio
- Excelitas Technologies - PCO
Fotodiodo de infrarrojos C30737PH-230-90Navalanchade silicioLIDAR
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Características
- Especificaciones
- de infrarrojos, avalancha, de silicio, LIDAR, sensible a las longitudes de onda
Descripción
Descripción del producto
El fotodiodo de avalancha de silicio C30737PH-230-90N (Si APD) ofrece un diámetro activo de 230 µm y una respuesta mejorada a 900 nm en un encapsulado plástico T 1¾.
Características clave:
Aplicaciones:
Características / especificaciones técnicas:
El fotodiodo de avalancha de silicio C30737PH-230-90N (Si APD) ofrece un diámetro activo de 230 µm y una respuesta mejorada a 900 nm en un encapsulado plástico T 1¾.
Características clave:
- Alta responsividad entre 500 y 1000 nm
- Bajo ruido y tiempos de subida muy rápidos en todas las longitudes de onda con respuesta en frecuencia superior a 380 MHz
- Diámetro activo de 230 μm optimizado para sensibilidad máxima a 900 nm
- Opción encapsulado plástico T 1-3/4 "PH"
Aplicaciones:
- LiDAR
- Telémetros láser
- Escaneo de seguridad
- Aplicaciones que requieren un detector de alto rendimiento y bajo coste
Características / especificaciones técnicas:
- Diámetro activo: 230 μm
- Longitud de onda de sensibilidad máxima: 900 nm
- Tensión de avalancha Vbd: 180-260
- Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 1,3 V/°C
- Ganancia: 100 @900 nm
- Responsividad: 60 A/W a 800 nm
- Corriente de oscuridad Id: 0.05 <0.5 nA
- Corriente de ruido: 0.1 pA/√Hz
- Capacitancia: 0.6 pF
- Tiempo de subida/bajada: 0.9 ns R carga = 50Ω
- Frecuencia de corte: 380 MHz
- Temperatura de almacenamiento: -50°C a +100°C
- Temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C
- Encapsulado: plástico T 1¾ pasante
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