Fotodiodo de silicio C30737PH-230-80N

LIDARavalancha

Descripción general El fotodiodo de avalancha de silicio (Si APD) C30737PH-230-80N ofrece un diámetro activo de 230 µm y una respuesta mejorada a 800 nm en un encapsulado de plástico T 1¾ para montaje superficial. Características principales

• Alta sensibilidad entre 500 y 1000 nm
• Bajo ruido y tiempo de subida extremadamente rápido en todas las longitudes de onda, con una respuesta en frecuencia superior a 1,5 GHz
• Diámetro activo de 230 μm y optimizado para una sensibilidad máxima a 800 nm
• Opción de plástico T1¾ «PH»

Aplicaciones

• LiDAR
• Telemetría láser
• Escaneo de seguridad
• Aplicaciones que requieren un detector de bajo coste y alto rendimiento

Especificaciones (tabla) Diámetro activo: 230 μm Longitud de onda de sensibilidad máxima: 800 nm Tensión de ruptura Vbd: 120-210 (disponible en binning) Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,5 V/°C Ganancia: 100 a 800 nm Sensibilidad: 50 A/W a 800 nm Corriente oscura Id: 0,05 <0,5 nA Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz Capacitancia: 1 pF Tiempo de subida/caída: 0,2 ns con carga R = 50 Ω Frecuencia de corte: 1,5 GHz Temperatura de almacenamiento: de -50 °C a +100 °C Temperatura de funcionamiento: de -40 °C a +85 °C Caja: plástico T 1-3/4 con orificios pasantes características / especificaciones técnicas

• Diámetro activo: 230 μm
• Longitud de onda de sensibilidad máxima: 800 nm
• Tensión de ruptura Vbd: 120-210 (clasificación por rangos disponible)
• Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,5 V/°C
• Ganancia: 100 a 800 nm
• Sensibilidad: 50 A/W a 800 nm
• Corriente oscura Id: 0,05 <0,5 nA
• Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
• Capacitancia: 1 pF
• Tiempo de subida/caída: 0,2 ns (carga R = 50 Ω)
• Frecuencia de corte: 1,5 GHz
• Temperatura de almacenamiento: de -50 °C a +100 °C
• Temperatura de funcionamiento: de -40 °C a +85 °C
• Carcasa: Plástico T 1-3/4 con orificios pasantes