Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30662 series

Descripción general
La serie Excelitas C30662 incluye fotodiodos avalancha InGaAs (APD) de gran superficie con área activa de 200 µm, diseñados para detección en 1000–1700 nm. Estos APD proporcionan alta eficiencia cuántica y responsividad con bajo ruido intrínseco. Disponibles en encapsulados herméticos TO-18, TO-46, en portador cerámico y en SMD para integración en laboratorio, OEM y producción en volumen.

Rendimiento y aplicaciones
Las opciones de alta anchura de banda y bajo ruido permiten mejorar la relación señal/ruido en LiDAR, telemetría segura para el ojo y OTDR coherente. Las variantes de bajo ruido amplían el alcance de detección en señales Raman y mejoran la sensibilidad en sensores distribuídos por fibra (DTS, DAS). Apto para sistemas OEM que requieren ganancia de operación estable y respuesta rápida.

Modelos de la serie (modelo / tipo de encapsulado / material de ventana / apertura / comentarios)
C30662ECERH / Ceramic Carrier / N/A / N/A / (no comment)
C30662ECERH-1 / Ceramic Carrier / N/A / N/A / ΔV > 4 V
C30662EH / TO-18, 2 pin / Glass / Large / (no comment)
C30662EH-1 / TO-18, 2 pin / Glass / Large / ΔV > 4 V
C30662EH-2 / TO-46, 3 pin / Glass / Large / 3. ground pin
C30662EH-137 / TO-18, 2 pin / Glass (para algunas variantes EH) / Small / low noise, ΔV > 4 V
C30662EH-3 / TO-18, 2 pin / (no especificado) / Small / (no comment)
C30662EH-5 / TO-18, 2 pin / Silicon / Small / (no comment)
C30662EH-7 / TO-46, 3 pin / Glass / Large / low noise
C30662EH-27 / TO-46, 3 pin / Glass / Large / low noise, 3. ground pin
C30662L-200 / SMD / N/A / N/A / (no comment)
C30662L-200-1 / SMD / Silicon / N/A / (no comment)
C30662L-200-7 / SMD / Glass / N/A / low noise
C30662L-200-17 / SMD / Silicon / N/A / (no comment)

Parámetros eléctricos / ópticos (seleccionados)
Rise/Fall time: t_r / t_f = 0.4 ns (max)
Ancho de banda (−3 dB): típ. 600 MHz, máx. 850 MHz
Capacitancia: estándar típ. 2,5 pF, SMD típ. 2,7 pF
Corriente de oscuridad: estándar típ. 13 nA (máx 35 nA); bajo ruido típ. 7,5 nA (máx 15 nA)
Ruido oscuro (i_N): estándar típ. 0,45 pA/√Hz (máx 1 pA/√Hz); bajo ruido típ. 0,35 pA/√Hz (máx 0,5 pA/√Hz)
NEP: estándar típ. 48 fW/√Hz (máx 106 fW/√Hz); bajo ruido típ. 37 fW/√Hz (máx 53 fW/√Hz)
Ganancia de operación (M): típ. 10, máx. 20
Tensión de avalancha (V_BD): min 45 V, típ. 50 V, máx 70 V; punto de operación desde avalancha (ΔV): típ. 4 V
Rango espectral: 1000–1700 nm; Eficiencia cuántica: típ. ~75%
Responsividad @1550 nm: típ. ~9,3 A/W; Coeficiente de temperatura de V_BD: típ. 0,14 V/°C (máx 0,2 V/°C)

Notas
Nota 1: Las ventanas de vidrio transmiten visible e IR; las de silicio bloquean visible por debajo de ≈1,1 µm.
Nota 2: Algunas ventanas cuentan con recubrimiento AR para reducir reflexiones.

Especificaciones técnicas

• Área activa: 200 µm
• Rango espectral: 1000 nm – 1700 nm
• Eficiencia cuántica: ~75% (típica)
• Responsividad a 1550 nm: ~9,3 A/W (típica)
• Ancho de banda (−3 dB): típico 600 MHz, hasta 850 MHz
• Rise/Fall time: típ/max ~0,4 ns
• Ganancia de operación (M): típica 10, hasta 20
• Tensión de avalancha (VBD): 45 – 70 V (típ. 50 V)
• Punto de operación desde avalancha (ΔV): ~4 V
• Capacitancia (estándar): ~2,5 pF; SMD: ~2,7 pF
• Corriente oscura (estándar): típ. 13 nA, máx 35 nA; variantes bajo ruido: típ. 7,5 nA, máx 15 nA
• Ruido oscuro (estándar): 0,45 – 1 pA/√Hz; bajo ruido: 0,35 – 0,5 pA/√Hz
• NEP estándar: típ. 48 fW/√Hz, máx 106 fW/√Hz; bajo ruido: típ. 37 fW/√Hz, máx 53 fW/√Hz
• Opciones de encapsulado: TO-18 (2 pines), TO-46 (3 pines), ceramic carrier, SMD
• Opciones de ventana: Glass (AR-coated), Silicon, o N/A según el encapsulado
• Variantes optimizadas para LiDAR, OTDR, DTS, DAS y telemetría eye-safe