Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30659-1550E-R08BH

Visión general
La serie C30659 de receptores APD InGaAs integra un fotodiodo avalancha InGaAs (APD) y un preamplificador híbrido en un encapsulado TO-8 hermético para operación con ruido ultra bajo. La variante C30659-1550E-R08BH incluye un APD InGaAs C30645EH optimizado para 1550 nm con un área activa de 80 µm.

Diseño y rendimiento
La serie emplea un diseño de amplificador invertido con un seguidor de emisor como etapa de salida. El frente del preamplificador utiliza un FET GaAs de muy bajo ruido, optimizado para una transimpedancia mayor que la de la serie C30950. Los detectores InGaAs ofrecen buena respuesta entre 830 nm y 1550 nm y tiempos de subida/caída rápidos en esas longitudes de onda.

Características clave

• APD híbrido más preamplificador en encapsulado TO-8 hermético
• APD InGaAs C30645EH optimizado para 1550 nm (empleado en esta variante)
• Área activa de 80 µm
• Diseño con umbral de daño elevado

Aplicaciones
Sensores y sistemas de detección óptica que requieren alta sensibilidad, ruido ultra bajo y respuesta rápida en el infrarrojo cercano, incluyendo operación alrededor de 1550 nm.

Especificaciones técnicas

• Número de pieza: C30659-1550E-R08BH
• Serie: C30659
• Ancho de banda del sistema: 200 MHz
• NEP: 250 fW/√Hz a 1300 nm; 220 fW/√Hz a 1550 nm
• Respuesta espectral: pico en 1550 nm (buena respuesta entre 830 nm y 1550 nm)
• Consumo típico: 150 mW
• Tensiones de operación del amplificador: ±5 V
• Capacidad de carga AC 50 Ω (acoplado AC)
• Encapsulado: TO-8 hermético
• Front-end del preamplificador: FET GaAs de muy bajo ruido