Fotodiodo de silicio FND-100GH

PIN

Resumen del producto
El FND-100GH es un fotodiodo PIN de silicio de gran área con un diámetro activo de 2,5 mm en un encapsulado TO-5 hermético con ventana de vidrio. Proporciona alta responsividad desde 400 nm hasta 1150 nm, con un pico de responsividad en 920 nm. Presenta tiempos de subida y bajada ultrarrápidos, bajo NEP (Noise Equivalent Power) y bajo voltaje de funcionamiento, adecuados para detección óptica de alta velocidad.

Características

• Fotodiodo PIN de silicio de gran área
• Encapsulado TO-5 hermético con ventana de vidrio
• Chip con diámetro activo de 2,5 mm
• Respuesta temporal ultrarrápida (tiempos de subida y bajada)
• Chip aislado para reducir diafonía

Aplicaciones

• Sistemas de detección y monitorización láser
• Control de potencia láser y metrología
• Detección de pulsos rápidos en inspección de semiconductores
• Instrumentación y sensores ópticos
• Conmutación óptica de alta velocidad

Especificaciones técnicas

• Modelo / Serie: serie FND-100 (FND-100GH)
• Tipo de detector: fotodiodo PIN de silicio (gran área, chip aislado)
• Diámetro activo: 2,5 mm
• Encapsulado: TO-5, hermético, ventana de vidrio
• Responsividad espectral: 400 nm a 1150 nm
• Pico de responsividad: 920 nm
• Respuesta temporal: tiempos de subida y bajada ultrarrápidos
• Noise Equivalent Power (NEP): bajo
• Voltaje de funcionamiento: bajo