Descripción del producto:El fotodiodo avalanche de silicio (APD) C30737LH-300-73N presenta un diámetro activo de 300 µm, respuesta mejorada alrededor de 800 nm y un filtro de banda óptica de 650 nm integrado en un portador cerámico sin patas (LCC) con ventana de vidrio 3×3 mm.
Características clave:- Alta responsividad filtrada a 650 nm
- Bajo ruido y tiempo de subida muy rápido; respuesta en frecuencia por encima de 700 MHz
- Diámetro activo de 300 µm optimizado para el infrarrojo cercano (800 nm)
- Filtro de banda óptica integrado a 650 nm (ventana)
- Encapsulado cerámico sin patas (LCC) con ventana de vidrio
Aplicaciones:- Detección de distancia por láser
- Telémetros
- Escaneado de áreas y seguridad
- Aplicaciones de bajo coste que requieren un detector de alto rendimiento
Especificaciones técnicas:- Diámetro activo: 300 µm
- Longitud de onda de sensibilidad máxima: 650 nm
- Tensión de ruptura Vbd: 110–165 V
- Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,6 V/°C
- Ganancia: 100 @ 800 nm
- Responsividad: 30 A/W a 650 nm
- Corriente de oscuridad Id: 1 nA
- Corriente de ruido: 0,2 pA/√Hz
- Capacitancia: 0,7 pF
- Frecuencia de corte: 700 MHz
- Temperatura de almacenamiento: -40°C a +100°C
- Temperatura de funcionamiento: -20°C a +60°C
- Encapsulado: ventana de vidrio 3×3 mm, portador cerámico sin patas (LCC)
- Ventana: ventana con filtro 650 nm