Fotodiodo de silicio C30808EH

PIN

Descripción del producto
El C30808EH es un fotodiodo PIN de silicio con un chip de diámetro activo de 2,5 mm en un encapsulado TO-5 herméticamente sellado, diseñado para el rango de longitudes de onda 300–1100 nm. La serie ofrece áreas fotosensibles desde 0,8 mm² hasta 100 mm².

Características y ventajas

• Chip con diámetro activo de 2,5 mm
• Recubrimiento antirreflectante para mejorar la responsividad a 900 nm
• Baja tensión de funcionamiento
• Encapsulado TO-5 hermético
• Compatible con RoHS

Aplicaciones

• Sistemas de detección láser
• Fotometría
• Transmisión de datos
• Instrumentación
• Conmutación de alta velocidad

Especificaciones (tabla)
Tensión de ruptura: >100 V
Capacitancia: 5 pF
Corriente de oscuridad: 30 nA / <150 nA @ Vop
Responsividad: 0,6 A/W a 900 nm
Tiempo de subida/bajada: <20 / <20 ns

Especificaciones técnicas

• Diámetro activo: 2,5 mm
• Rango de longitudes de onda: 300–1100 nm
• Encapsulado: TO-5 hermético
• Rango de área fotosensible (serie): 0,8 mm² a 100 mm²
• Tensión de ruptura: >100 V
• Capacitancia: 5 pF
• Corriente de oscuridad: 30 nA / <150 nA @ Vop
• Responsividad: 0,6 A/W a 900 nm
• Tiempo de subida/bajada: <20 ns / <20 ns
• Recubrimiento antirreflectante para mejorar la responsividad a 900 nm
• Baja tensión de funcionamiento
• Compatible con RoHS