Resumen del productoLos fotodiodos de avalancha de silicio Excelitas C30902EH son detectores reach-through de gran área y alta velocidad que ofrecen alta responsividad con bajo ruido para aplicaciones de baja iluminación. El C30902EH-2 se suministra en encapsulado TO-18 con ventana de vidrio plano y filtro óptico de 905 nm; el diámetro activo fotosensible es de 0,5 mm. También existe una variante SPAD (C30902SH) para recuento de fotones únicos en modo Geiger.
Descripción técnica claveLos dispositivos emplean una estructura reach-through de doble difusión que proporciona alta responsividad de 400 nm a 1000 nm y tiempos de subida/bajada rápidos. La responsividad se mantiene esencialmente constante hasta típicamente 800 MHz de modulación. El chip detector está sellado herméticamente en un encapsulado TO-18 modificado. Las ganancias de avalancha típicas superan 150 para aplicaciones que requieren mayor sensibilidad.
Características y beneficios- APD de Si de 0,5 mm en encapsulado TO-18
- Alta eficiencia cuántica — típ. 60 % a 905 nm
- Bajo ruido oscuro a temperatura ambiente
- Alta responsividad con ganancias de avalancha internas >150
- Respuesta espectral centrada en 860–960 nm
- Respuesta temporal rápida — típ. 0,4 ns
- Rango de temperatura de funcionamiento −40°C a +85°C
Aplicaciones- Mediciones LiDAR y ToF
- Reflectometría óptica en el dominio del tiempo (OTDR)
- Detección de fluorescencia de pequeña señal
- Escaneo y sistemas de barrido láser
Especificaciones técnicas- Área activa: 0,2 mm²
- Diámetro activo: 0,5 mm
- Tensión de ruptura: típ. 225 V
- Capacitancia: 1,5 pF
- Coeficiente de temperatura: típ. 0,7 V/°C
- Corriente oscura: 7 nA
- Ruido oscuro: 0,1 pA/√Hz
- Potencia equivalente de ruido: 1,23 fW/√Hz
- Responsividad típica: 66 A/W a 905 nm
- Ganancia recomendada: 150
- Encapsulado: TO-18, ventana plana, filtro 905 nm