Fotodiodo de infrarrojos C30737LH-230-80N

sensible a las longitudes de ondade silicioLIDAR

Resumen del producto
El fotodiodo avalancha de silicio C30737LH-230-80N (Si APD) está optimizado para una respuesta mejorada en 800 nm. Cuenta con un diámetro activo de 230 µm y se suministra en un encapsulado cerámico sin patillas (LCC), adecuado para conjuntos detectores compactos.

Características clave

• Alta responsividad entre 500 y 1000 nm, con pico en 800 nm
• Bajo ruido oscuro y tiempos de subida muy rápidos; respuesta en frecuencia > 1,5 GHz
• Diámetro activo: 230 µm, optimizado para 800 nm
• Encapsulado cerámico sin patillas (LCC) para integración compacta

Aplicaciones

• Sistemas LiDAR
• Medición de distancia por láser
• Escaneo y sistemas de seguridad
• Módulos de detección óptica de alto rendimiento y bajo coste

Especificaciones técnicas

• Diámetro activo: 230 µm
• Longitud de onda de máxima sensibilidad: 800 nm
• Tensión de ruptura (Vbd): 120–210 V (binning disponible)
• Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,5 V/°C
• Ganancia: 100 @ 800 nm
• Responsividad: 50 A/W a 800 nm
• Corriente de oscuridad Id: 0,05–<0,5 nA
• Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
• Capacitancia: 1 pF
• Tiempo de subida/bajada: 0,2 ns (R carga = 50 Ω)
• Frecuencia de corte: 1,5 GHz
• Temperatura de almacenamiento: -50 °C a +100 °C
• Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
• Encapsulado: ventana de vidrio 3 × 3 mm, encapsulado cerámico sin patillas (LCC)
• Ventana: estándar