Descripción del producto:El C30737PH-500-80N es un fotodiodo avalanche de silicio (APD) con diámetro activo de 500 µm y sensibilidad mejorada en 800 nm, en encapsulado Plastic T 1¾ para montaje axial. Diseñado para respuesta rápida y detección de bajo ruido en conjuntos compactos y económicos.
Características principales:- Responsividad optimizada entre 500–1000 nm con pico en 800 nm
- Bajo ruido y tiempos de subida rápidos, respuesta en frecuencia superior a 1,3 GHz
- Diámetro activo de 500 µm para una eficiente captura de luz
- Encapsulado Plastic T 1¾ para montaje pasante (opción PH)
Aplicaciones:- Sistemas LiDAR
- Telemetría láser y medición de distancia
- Instrumentos de seguridad y escaneo
- Montajes de detección fotónica con restricción de coste que requieren detectores rápidos y sensibles
Especificaciones técnicas:- Diámetro activo: 500 µm
- Longitud de onda de máxima sensibilidad: 800 nm
- Tensión de ruptura (Vbd): 120–210 V (binning disponible)
- Coeficiente de temperatura de la tensión de polarización para ganancia constante: 0,5 V/°C
- Ganancia: 100 @ 800 nm
- Responsividad: 50 A/W a 800 nm
- Corriente oscura (Id): <1 nA (típ. 0,1 nA)
- Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
- Capacitancia: 2 pF
- Tiempo de subida/bajada: 0,3 ns (Rload = 50 Ω)
- Frecuencia de corte: 1,3 GHz
- Temperatura de almacenamiento: -50 °C a +100 °C
- Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
- Encapsulado: Plastic T 1¾ para montaje pasante