Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30659-UV-1

Resumen
El C30659-UV-1 integra un fotodiodo de avalancha de silicio optimizado para UV (Si APD) y un preamplificador híbrido en un paquete TO-8 herméticamente sellado, permitiendo detección con ruido extremadamente bajo en aplicaciones sensibles al UV.

Detalles
Los Si APD optimizados para UV ofrecen buena respuesta entre 400 nm y 950 nm y presentan tiempos de subida y bajada rápidos en todo el rango espectral. La sección de preamplificador del módulo utiliza una etapa frontal GaAs FET de muy bajo ruido diseñada para operar a una transimpedancia superior a la de la Serie C30950 estándar, mejorando la amplificación de señal en mediciones con poca luz.

Características técnicas / especificaciones

• Ancho de banda del sistema: 50 MHz
• Potencia equivalente de ruido (NEP) ultra baja: 10 fW/√Hz a 500 nm
• Rango de respuesta espectral: 400 a 950 nm
• Consumo típico: 150 mW
• Tensiones de funcionamiento del amplificador: ±5 V
• Capacidad de carga AC de 50 Ω (AC acoplado)
• Paquete TO-8 herméticamente sellado
• Alta fiabilidad