Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30659-900-R8AH

Descripción general
La serie C30659 de receptores ópticos APD híbridos integra un fotodiodo de avalancha de silicio (APD Si) y un preamplificador híbrido en un encapsulado TO-8 hermético. El C30659-900-R8AH utiliza el APD Si C30817EH con máxima respuesta en 900 nm y diámetro activo de 0,8 mm, ofreciendo detección sensible en la región visible-cercana al infrarrojo.

Diseño y rendimiento
La serie Excelitas C30659 emplea una topología de amplificador inversor con un seguidor de emisor como etapa de salida. El preamplificador incorpora una etapa de entrada GaAs FET de bajo ruido diseñada para operar a una transimpedancia superior a la de la serie estándar C30950. Los APD Si son los mismos que en C30817EH, C30902EH, C30954EH y C30956EH; se usan APD InGaAs en C30645EH y C30662EH. Los dispositivos ofrecen tiempos de subida y caída rápidos y respuesta fiable entre 400 y 1100 nm.

Aplicaciones / Notas
La integración híbrida del APD y del preamplificador en un encapsulado TO-8 hermético permite una detección de bajo ruido adecuada para sistemas de detección óptica de alta sensibilidad que requieren respuesta rápida y bajo NEP. Aplicaciones típicas: instrumentación óptica, espectroscopía y etapas frontales de receptores de fibra óptica.

Características / especificaciones técnicas

• Ancho de banda del sistema: 50 MHz
• Potencia equivalente de ruido (NEP) baja:
  • 14 fW/√Hz a 830 nm
  • 12 fW/√Hz a 900 nm
• Rango de respuesta espectral: 400 a 1100 nm
• Diámetro activo: 0,8 mm
• Consumo típico: 150 mW
• Tensiones de operación del amplificador: ±5 V
• Capacidad de carga 50 Ω AC (acoplamiento AC)
• Encapsulado TO-8 hermético
• Alta fiabilidad