Fotodiodo de infrarrojos YAG-444

de siliciosensible a las longitudes de ondaPIN

Descripción general La serie YAG de Excelitas Technologies incluye detectores Si PIN de alto rendimiento, en configuraciones N o P, suministrados en envolventes TO herméticas. Su gran área activa y el anillo de guarda los hacen adecuados tanto para detección de posición como de potencia en aplicaciones láser industriales y de laboratorio.

Rendimiento Estos fotodiodos presentan una respuesta estable en el rango de longitud de onda 400 nm a 1100 nm, con respuesta IR mejorada optimizada para detección a 1064 nm. El anillo de guarda recoge la corriente generada fuera del área activa evitando que contribuya al ruido. El gran diámetro activo de 11.3 mm permite obtener información de posición tanto de puntos enfocados como desenfocados en modos pulsado y CW.

Principales características y beneficios

• Alta eficiencia cuántica a 1064 nm
• Estilo de paquete: lata TO hermética
• Disponible en configuraciones N-type y P-type
• Diámetro activo: 11.3 mm (área activa 100 mm²)

Especificaciones técnicas

• Diámetro activo (mm): 11.3
• Área activa (mm²): 100
• Capacitancia típica (pF): 35
• Responsividad típica a 900 nm (A/W): 0.60
• Responsividad típica a 1064 nm (A/W): 0.44
• Responsividad típica a 1064 nm sufijo -AR (A/W): 0.47
• Tiempo de subida típico, carga 50Ω (ns): 12
• Voltaje máximo de operación (V): 180
• Voltaje mínimo de avalancha (V): 200
• Corriente de oscuridad típica (nA): 80
• Corriente de oscuridad máxima (nA): 200
• Corriente de ruido típica (pA/√Hz): 0.16
• NEP a 1064 nm (pW/√Hz): 0.23
• Paquete: TO-36 personalizado
• Rango de temperatura de almacenamiento (℃): -55 a 125
• Rango de temperatura de funcionamiento (℃): -55 a 125