Fotodiodo de silicio VTP9812FH

sensible a las longitudes de onda

Resumen del producto
El fotodiodo de silicio VTP9812FH se entrega en un encapsulado plano T-1¾ con bloqueo infrarrojo. Tiene un área activa de 1,548 mm² y una respuesta espectral orientada al rango visible (400–700 nm), con un pico en 580 nm. El dispositivo presenta corriente de oscuridad muy baja, alta resistencia shunt y baja capacitancia de unión para una respuesta rápida. Puede operarse con polarización inversa para reducir la capacitancia y aumentar la velocidad, o en modo fotovoltaico cuando la rapidez no es crítica.

Características y ventajas

• Respuesta espectral cercana al ojo humano (rango visible)
• Linealidad del 1–2 % en 7–9 décadas
• Baja corriente de oscuridad
• Alta resistencia shunt
• Baja capacitancia de unión para respuesta rápida
• Alta tensión inversa admisible
• Compatible con RoHS

Aplicaciones

• Detección y conmutación de luz interior y exterior
• Sistemas de atenuación de faros automotrices
• Control de contraste en pantallas
• Controles de iluminación para ahorro de energía

Especificaciones técnicas

• Área activa: 1,548 mm²
• Corriente de cortocircuito: Mín. 0,7 µA a 100 fc, 2850 K
• Corriente de oscuridad: Máx. 10 nA a 10 V en polarización inversa
• Capacitancia de unión: Máx. 150 pF a 10 V en polarización inversa
• Rango espectral: 400 nm a 700 nm
• Respuesta espectral pico: 580 nm
• Sensibilidad en longitud de onda pico: Típ. 0,034 A/W
• Respuesta angular: ±50° al 50 % de respuesta
• Temperatura de soldadura: Máx. 260°C