Descripción del productoEl C30737LH-230-90N es un fotodiodo avalanche de silicio (Si APD) con diámetro activo de 230 µm, montado en un portador cerámico sin pines (LCC). Ofrece respuesta mejorada a 900 nm, bajo ruido y respuesta en frecuencia rápida, adecuado para sistemas de detección óptica compactos y de alta velocidad.
Características clave- Respuesta mejorada alrededor de 900 nm y amplio rango de 500 a 1000 nm
- Bajo ruido oscuro y tiempo de subida rápido con frecuencia de corte superior a 380 MHz
- Diámetro activo: 230 µm; optimizado para máxima sensibilidad a 900 nm
- Portador cerámico sin pines (LCC) con ventana de vidrio 3×3 mm
Aplicaciones- LiDAR y sistemas de telemetría
- Telémetros láser y sensores de distancia
- Equipos de seguridad y escaneo
- Módulos detectores de alto rendimiento y bajo coste
Especificaciones técnicas- Diámetro activo: 230 µm
- Longitud de onda de sensibilidad máxima: 900 nm
- Tensión de avalancha (Vbd): 180–260 V (binning disponible)
- Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 1,3 V/°C
- Ganancia: 100 @ 900 nm
- Responsividad: 60 A/W @ 900 nm
- Corriente de oscuridad (Id): typ. 0,05 nA, máx. <0,5 nA
- Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
- Capacitancia: 0,6 pF
- Tiempo de subida/bajada: 0,9 ns (R_load = 50 Ω)
- Frecuencia de corte: 380 MHz
- Temperatura de almacenamiento: -50 °C a +100 °C
- Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
- Paquete: ventana de vidrio 3×3 mm, portador cerámico sin pines (LCC)
- Ventana: estándar