Fotodiodo avalancha C30683

InGaAs

Descripción general
La serie C30683 integra un fotodiodo de avalancha (APD) y un amplificador transimpedancia (TIA) de alta velocidad en un encapsulado hermético TO-8 para detección de muy baja iluminación. Los modelos admiten APD en silicio e InGaAs, ofrecen anchos de banda de sistema de hasta 450 MHz, bajo NEP y salida diferencial para sistemas ópticos y de telemetría exigentes.

Notas clave del producto

• Termistor integrado para monitorizar la temperatura del APD y compensar la alimentación HV para mantener la ganancia estable.
• Opciones de APD: Silicio (C30737, 500 µm) e InGaAs (C30645, 80 µm; C30662, 200 µm).
• Números de pieza típicos: C30683-900-R5DH, C30683-1550-R08DH, C30683-1550-R2BH.

Características

• APD integrado con la primera etapa de ganancia en encapsulado TO-8 hermético
• Selección de detectores Silicio o InGaAs
• Ancho de banda del sistema hasta 450 MHz (dependiendo del modelo)
• Capacidad de carga 50 Ω AC (ac acoplado)
• Voltaje de alimentación del amplificador: +3,3 V
• Salida diferencial para rechazo de ruido

Aplicaciones

• LiDAR y medición de distancia
• Comunicaciones ópticas en espacio libre
• Detección en condiciones de muy baja luz e instrumentación analítica
• Sensado de temperatura distribuido (DTS)
• Microscopía confocal y equipos de ensayo fotónico

Especificaciones técnicas

• Serie: C30683
• Encapsulado: TO-8 hermético con APD integrado y primera etapa de ganancia
• Opciones APD y tamaños típicos: Silicio (C30737, 500 µm); InGaAs (C30645, 80 µm; C30662, 200 µm)
• Responsividad: hasta 550 kV/W (900 nm) o 120 kV/W (1550 nm), según modelo
• NEP: hasta 37 fW/√Hz (dependiendo del modelo)
• Ancho de banda del sistema: hasta 450 MHz (dependiendo del modelo)
• Carga: 50 Ω AC (ac acoplado)
• Alimentación del amplificador: +3,3 V
• Salida: Diferencial
• Monitorización de temperatura: termistor integrado para compensación de temperatura del APD