Fotodiodo sensible a las longitudes de onda C30737MH-500-80N

de silicioLIDARavalancha

Descripción del producto: El fotodiodo avalancha de silicio C30737MH-500-80N (APD) ofrece un diámetro activo de 500 µm con respuesta mejorada en 800 nm. Suministrado en un portador laminado sin patillas (LLC) en un paquete FR4 epoxi top-looking de 2 × 1,75 mm, es adecuado para detección óptica de alta velocidad.

Características clave:

• Alta responsividad entre 500–1000 nm, optimizado para 800 nm
• Bajo ruido con tiempos de subida/bajada muy rápidos y ancho de banda >1,3 GHz
• Ganancia ~100 a 800 nm
• Opción de portador Leadless Laminated Carrier "MH", paquete top-looking

Aplicaciones:

• Sistemas LiDAR y de telémetros láser
• Instrumentos de detección y medición láser
• Detectores para seguridad y escaneo
• Soluciones de detección óptica de alto rendimiento y coste contenido

Especificaciones:

• Diámetro activo: 500 μm
• Longitud de onda de sensibilidad máxima: 800 nm
• Tensión de ruptura (Vbd): 120–210 V (binning disponible)
• Coeficiente de temperatura de Vop (M constante): 0,5 V/°C
• Ganancia: 100 @ 800 nm
• Responsividad: 50 A/W @ 800 nm
• Corriente de oscuridad (Id): <1 nA
• Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
• Capacitancia: 2 pF
• Tiempo de subida/bajada: 0,3 ns (Rload = 50 Ω)
• Frecuencia de corte: 1,3 GHz
• Temperatura de almacenamiento: -50°C a +100°C
• Temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C
• Paquete: 2 × 1,75 mm top-looking FR4 epoxi, leadless laminated carrier (LLC)