Fotodiodo de silicio VTB8440BH

sensible a las longitudes de onda

Descripción del producto
El VTB8440BH es un fotodiodo de silicio optimizado para azul, alojado en un encapsulado cerámico empotrado de 8 mm y protegido por una capa de epoxi transparente. Un filtro de rechazo IR integrado limita la respuesta al rango visible. Este fotodiodo muestra una muy alta resistencia de shunt y una corriente de oscuridad muy baja, adecuado para mediciones de luz precisas.

Información adicional
El VTB8440BH ofrece un área activa de 5,16 mm² y está diseñado principalmente para operación en modo fotovoltaico; puede emplearse con un pequeño sesgo inverso si se requiere. Su alta resistencia de shunt minimiza desplazamientos en circuitos amplificadores transimpedancia de alta ganancia.

Características y ventajas

• Respuesta espectral visible (330–720 nm)
• Linealidad 1 %–2 % sobre 7 a 9 décadas
• Corriente de oscuridad muy baja (≤2 nA a 2 V en polarización inversa)
• Muy alta resistencia de shunt para bajos offsets
• Cumple RoHS

Aplicaciones

• Detección de luz ambiente
• Luxómetros y fotometría
• Monitorización de llamas
• Fotodetección científica e industrial

Especificaciones técnicas

• Área activa = 5,16 mm²
• Corriente de cortocircuito = Mín. 4 µA a 100 fc, 2850 K
• Corriente de oscuridad = Máx. 2 nA a 2 V de polarización inversa
• Capacitancia de juntura = Típ. 1,0 nF a 0 V
• Rango espectral = 330 nm a 720 nm
• Respuesta espectral pico = 580 nm
• Sensibilidad en longitud de onda pico = Típ. 0,29 A/W
• Respuesta angular = ±50° al 50 % de respuesta