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Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30737MH-500-90N
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Descripción
Descripción del producto
El C30737MH-500-90N es un fotodiodo avalancha de silicio (APD) con un diámetro activo de 500 µm y respuesta mejorada alrededor de 900 nm, presentado en un portador laminado sin pines (LLC).
Características clave
Aplicaciones
Especificaciones técnicas
El C30737MH-500-90N es un fotodiodo avalancha de silicio (APD) con un diámetro activo de 500 µm y respuesta mejorada alrededor de 900 nm, presentado en un portador laminado sin pines (LLC).
Características clave
- Alta responsividad entre 500 y 1000 nm
- Bajo ruido y tiempo de subida muy rápido en todas las longitudes de onda con respuesta en frecuencia por encima de 380 MHz
- Diámetro activo 500 µm, optimizado para máxima sensibilidad en 900 nm
- Opción de portador laminado sin pines "MH" (LLC)
Aplicaciones
- LiDAR
- Medición de distancia por láser (laser range finding)
- Escaneo de seguridad
- Aplicaciones que requieren detectores de alto rendimiento a bajo coste
Especificaciones técnicas
- Diámetro activo: 500 μm
- Longitud de onda de máxima sensibilidad: 900 nm
- Tensión de ruptura (Vbd): 180–260 (binning disponible)
- Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 1,3 V/°C
- Ganancia: 100 @ 900 nm
- Responsividad: 60 A/W a 800 nm
- Corriente de oscuridad (Id): 0,1 a <1 nA
- Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
- Capacitancia: 1 pF
- Tiempo de subida/bajada: 0,9 ns (carga R = 50 Ω)
- Frecuencia de corte: 380 MHz
- Temperatura de almacenamiento: -50°C a +100°C
- Temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C
- Paquete: FR4 epoxi 2 × 1,75 mm top-looking, portador laminado sin pines (LLC)
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