Fotodiodo de cuadrantes C30927EH-03

de siliciosensible a las longitudes de ondaQPD

Descripción del producto
El fotodiodo avalancha de silicio en cuadrante C30927EH-03 presenta una estructura "reach-through" de doble difusión con un diámetro útil de 1,55 mm. El diseño en cuadrantes utiliza una unión de avalancha común y separa los cuadrantes mediante la segmentación de la superficie p+ de entrada de luz opuesta a la unión, eliminando los espacios muertos entre elementos y manteniendo la respuesta en la línea de mira. El dispositivo está optimizado para operación a 800 nm y proporciona alta responsividad y respuesta rápida cuando se usa dentro de ±50 nm de la longitud de onda nominal.

Características principales

• Ángulo completo para superficie fotosensible totalmente iluminada mayor de 90°
• Alta eficiencia cuántica optimizada para 800 nm
• Respuesta temporal rápida (tiempo de subida/bajada típico: 3 ns)
• Área activa grande: 1,77 mm²
• Encapsulado TO-8 de perfil bajo y sellado herméticamente

Aplicaciones

• Seguimiento
• Alineación
• Identificación amigo o enemigo

Características técnicas / especificaciones

• Rango de tensión de avalancha (V): 350 a 485
• Tensión de avalancha típica (V): 425
• Ganancia típica (M): 100
• Coeficiente de temperatura típico para ganancia constante (V/°C): 2,4
• Responsividad mínima a 800 nm (A/W): 45
• Responsividad típica a 800 nm (A/W): 55
• Corriente de oscuridad total típica (nA): 100
• Corriente de oscuridad total máxima (nA): 200
• Corriente de ruido típica por elemento (pA/√Hz): 1,0
• Corriente de ruido máxima por elemento (pA/√Hz): 1,5
• Capacitancia total típica de todos los cuadrantes (pF): 3
• Capacitancia total máxima de todos los cuadrantes (pF): 5
• Resistencia serie máxima (Ω): 15
• Tiempo de subida y bajada típico (ns): 3
• Temperatura de almacenamiento (°C): -60 a 120
• Temperatura de funcionamiento (°C): -40 a 60