Fotodiodo de silicio C30845EH

de infrarrojosde cuadrantessensible a las longitudes de onda

Descripción del producto
El C30845EH es un fotodiodo PIN en cuadrante de silicio tipo N en un encapsulado TO-8 hermético, diseñado para operar en una amplia banda espectral desde el UV cercano hasta el IR cercano. La gran área activa (50 mm², diámetro 8 mm) facilita la obtención de información de posición tanto de puntos enfocados como desenfocados en modos pulsados o CW.

Características

• Amplia superficie fotosensible: 50 mm²
• Baja tensión de funcionamiento (Vop): 45 V
• Encapsulados TO-8 herméticos
• Rango de respuesta espectral: 400 a 1100 nm (diseñado 300 a 1100 nm)
• Muy baja separación entre cuadrantes: 0,25 mm

Aplicaciones / Notas
Fotodiodo PIN en cuadrante tipo N en encapsulado TO-8 hermético, adecuado para aplicaciones de banda ancha y bajos niveles de luz, y para obtener información de posición de puntos enfocados o desenfocados en operación pulsada o continua.

Especificaciones técnicas

• Diámetro activo (mm): 8
• Área activa (mm²): 50
• Tensión mínima de ruptura (V): 100
• Capacitancia típica por elemento (pF): 8
• Capacitancia máxima por elemento (pF): 10
• Corriente de oscuridad típica por elemento a 10 V (nA): 70
• Corriente de oscuridad máxima por elemento a 10 V (nA): 200
• Corriente de oscuridad típica por elemento a 45 V (nA): 200
• Corriente de oscuridad máxima por elemento a 45 V (nA): 700
• Corriente de ruido típica por elemento a 900 nm (pA/√Hz): 0,43
• Corriente de ruido máxima por elemento a 900 nm (pA/√Hz): 1,80
• Corriente de ruido típica por elemento a 1060 nm (pA/√Hz): 1,5
• Corriente de ruido máxima por elemento a 1060 nm (pA/√Hz): 6,5
• Tiempo de subida típico (ns): 6
• Tiempo de caída típico (ns): 10
• Temperatura de almacenamiento (°C): -60 a 100
• Temperatura de funcionamiento (°C): -40 a 80