Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30737LH-230-81N

Descripción del producto
El fotodiodo de avalancha de silicio C30737LH-230-81N (Si APD) proporciona una respuesta mejorada en 800 nm con un diámetro activo de 230 µm y un filtro pasa-banda de 635 nm en la ventana de vidrio. Se suministra en un encapsulado cerámico sin patillas (LCC) con una ventana de 3×3 mm y está optimizado para detección de alta velocidad en ensamblajes compactos.

Principales características

• Filtro óptico pasa-banda centrado en 635 nm
• Bajo ruido y tiempos de subida muy rápidos en todas las longitudes de onda; respuesta en frecuencia > 1,5 GHz
• Diámetro activo 230 µm optimizado para respuesta a 800 nm
• Ganancia ≈ 100 @ 635 nm; responsividad 35 A/W a 800 nm
• Encapsulado cerámico sin patillas (LCC) con ventana de vidrio 3×3 mm

Aplicaciones

• LiDAR y sensores de tiempo de vuelo
• Detección de distancia y telémetros láser
• Sistemas de escaneo y seguridad
• Módulos de detección de alto rendimiento y bajo coste

Especificaciones
Diámetro activo: 230 µm
Longitud de onda de máxima sensibilidad: 635 nm
Tensión de ruptura Vbd: 120–210 V (binning disponible)
Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,5 V/°C
Ganancia: 100 @ 635 nm
Responsividad: 35 A/W a 800 nm
Corriente de oscuridad Id: 0,05–0,5 nA
Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
Capacitancia: 1 pF
Tiempo de subida/bajada: 0,2 ns (Rload = 50 Ω)
Frecuencia de corte: 1,5 GHz
Temperatura de almacenamiento: -50 °C a +100 °C
Temperatura de operación: -40 °C a +85 °C
Encapsulado: ventana de vidrio 3×3 mm, encapsulado cerámico sin patillas (LCC)
Ventana: filtro pasa-banda 635 nm

Especificaciones técnicas

• Diámetro activo: 230 µm
• Longitud de onda de máxima sensibilidad: 635 nm
• Tensión de ruptura Vbd: 120–210 V (binning disponible)
• Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,5 V/°C
• Ganancia: 100 @ 635 nm
• Responsividad: 35 A/W a 800 nm
• Corriente de oscuridad Id: 0,05–0,5 nA
• Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
• Capacitancia: 1 pF
• Tiempo de subida/bajada: 0,2 ns (Rload = 50 Ω)
• Frecuencia de corte: 1,5 GHz
• Temperatura de almacenamiento: -50 °C a +100 °C
• Temperatura de operación: -40 °C a +85 °C
• Encapsulado: ventana de vidrio 3×3 mm, encapsulado cerámico sin patillas (LCC)
• Ventana: filtro pasa-banda 635 nm