Fotodiodo Top View C30737MH-230-80N

de silicioLIDARavalancha

Descripción del producto: El C30737MH-230-80N es un fotodiodo avalancha de silicio (Si APD) que ofrece sensibilidad mejorada en 800 nm con un diámetro activo de 230 µm en un encapsulado leadless laminated carrier (LLC). Diseñado para detección óptica de alta velocidad con bajo ruido y ancho de banda en GHz.

Características clave:

• Alta responsividad entre 500 y 1000 nm, pico en 800 nm
• Bajo ruido, tiempos de subida rápidos y respuesta en frecuencia por encima de 1,5 GHz
• Diámetro activo de 230 µm optimizado para 800 nm
• Opción de encapsulado leadless laminated carrier (LLC) — variante MH

Aplicaciones:

• LiDAR y sensores time-of-flight
• Medición de distancia por láser
• Sistemas de seguridad y escaneo
• Aplicaciones que requieren detectores de alto rendimiento y bajo coste

Especificaciones técnicas:

• Diámetro activo: 230 µm
• Longitud de onda de sensibilidad máxima: 800 nm
• Tensión de avalancha (Vbd): 120–210 V (binning disponible)
• Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,5 V/°C
• Ganancia: 100 @ 800 nm
• Responsividad: 50 A/W @ 800 nm
• Corriente de oscuridad (Id): 0,05–0,5 nA
• Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
• Capacitancia: 1 pF
• Tiempo de subida/bajada: 0,2 ns (Rload = 50 Ω)
• Frecuencia de corte: 1,5 GHz
• Temperatura de almacenamiento: -50 °C a +100 °C
• Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
• Encapsulado: 2 x 1,75 mm top-looking FR4 epoxy, leadless laminated carrier (LLC)