Fotodiodo sensible a las longitudes de onda C30724EH

avalanchade siliciode infrarrojos

Descripción del producto
El fotodiodo de avalancha de silicio C30724EH (Si APD) ofrece sensibilidad máxima a 920 nm en un encapsulado metálico TO-18 hermético. Presenta bajo coeficiente de temperatura y respuesta rápida, optimizado para aplicaciones de telémetría láser 905 nm y sensado industrial.

Descripción de la serie
La serie C30724 proporciona alta responsividad en el rango de 800 a 950 nm con tiempos de subida y bajada de aproximadamente 5 ns y sin cola en la bajada. Diseñada para producción en volumen para telémetros láser de 905 nm, esta serie puede operarse con voltaje fijo sin compensación térmica activa.

Características principales:

• APD Si con filtro integrado de 905 nm en encapsulado metálico TO-18
• Tiempos de subida y bajada ≈ 5 ns, sin cola en la bajada
• Funcionamiento a bajo ganancia
• Bajo coeficiente térmico — no requiere compensación de temperatura

Aplicaciones principales:

• Telemetría láser
• Medidores de distancia láser
• Medición de velocidad del tráfico

Especificaciones técnicas:

• Área activa: 0,2 mm²
• Diámetro activo: 0,5 mm
• Voltaje de ruptura: 350 V
• Capacitancia: 1 pF
• Corriente de oscuridad: 20 nA
• Ganancia: >12, 15, <18
• Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
• Encapsulado: TO-18
• Longitud de onda de sensibilidad máxima: 920 nm
• Responsividad: 8,5 A/W a 920 nm
• Tiempo de subida/bajada: 5 ns
• Corriente de oscuridad total (volumen + superficie): 20 nA
• Rango de tensión de operación: 150-200 V
• Rango de longitudes de onda: 400-1100 nm