Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30645 series

Descripción del producto
La serie C30645 incluye fotodiodos de avalancha InGaAs de gran área con una zona activa de 80 µm, optimizados para detección en 1000–1700 nm. Disponibles en embalajes herméticos TO-18 y TO-46, portador cerámico y SMD, estos APD ofrecen alta responsividad a 1550 nm y opciones de bajo ruido para sistemas de fibra y detección de alta velocidad.

Aplicaciones y ventajas
Diseñada para OEMs e integradores de sistemas, la serie C30645 proporciona un equilibrio entre ancho de banda y ruido para mejorar la relación señal/ruido (SNR) en aplicaciones exigentes.

• LiDAR y telémetros eye-safe — mayor rango de detección con variantes de bajo ruido
• OTDR coherente y sensado distribuido (DTS, DAS) — mayor sensibilidad para señales Raman o retrodispersadas
• Receptores de telecomunicaciones de alta velocidad y equipos de prueba óptica — ancho de banda amplio y tiempos de subida/bajada rápidos

Modelos y opciones de encapsulado

• C30645ECERH | Portador cerámico | Ventana: N/A | Apertura: N/A
• C30645EH | TO-18 (2 pines) | Ventana: Silicio | Apertura: Pequeña (opción AR)
• C30645EH-1 | TO-18 (2 pines) | Ventana: Vidrio | Apertura: Grande (opción AR)
• C30645EH-2 | TO-46 (3 pines) | Ventana: ver tabla | Comentario: 3 = pin de tierra
• C30645EH-7 | TO-18 (2 pines) | Ventana: Silicio | Apertura: Pequeña | opción bajo ruido
• C30645EH-27 | TO-46 (3 pines) | Ventana: Vidrio | Apertura: Grande | bajo ruido, 3 = pin de tierra
• C30645L-080 | SMD | Ventana: Vidrio | Apertura: N/A
• C30645L-080-1 | SMD | Ventana: Silicio | Apertura: N/A
• C30645L-080-7 | SMD | Ventana: Vidrio | Apertura: N/A | opción bajo ruido
• C30645L-080-17 | SMD | Ventana: Silicio | Apertura: N/A

Notas
Nota 1: Las ventanas de vidrio son transparentes en visible e IR; las de silicio bloquean el visible hasta ≈1,1 µm.
Nota 2: Opción de ventana con recubrimiento anti-reflectante (AR) para reducir reflexiones.

Especificaciones eléctricas / ópticas

• Área activa: 80 µm
• Rango espectral: 1000–1700 nm
• Responsividad típica @1550 nm: 9,3 A/W
• Tiempo de subida/bajada típico: 0,3 ns
• Ancho de banda mínimo (f3dB): 1000 MHz
• Capacitancia: típ. 1,25 pF (estándar), 1,45 pF (SMD)
• Corriente de oscuridad (típ.): 2,5 nA (estándar), 1 nA (SMD); máx.: 15 nA (estándar), 5 nA (SMD)
• Ruido de oscuridad (típ.): 0,2 pA/√Hz (estándar); bajo ruido: 0,1 pA/√Hz
• NEP (típ.): 25 fW/√Hz (estándar); bajo ruido: 11 fW/√Hz
• Ganancia de operación (M): min 10, típ. 20
• Tensión de avalancha (V_BD): min 45 V, típ. 50 V, máx. 70 V
• Coeficiente de temperatura de V_BD: típ. 0,14 V/°C, máx. 0,2 V/°C

Características clave

• Área activa de 80 µm para alta eficiencia de colecta
• Optimizado para 1000–1700 nm, compatible con longitudes de onda de fibra y eye-safe
• Opción de bajo ruido para mayor alcance y sensibilidad
• Múltiples encapsulados: TO-18, TO-46, portador cerámico, SMD
• Alta ancho de banda y tiempos sub-ns para sistemas de alta velocidad
• Baja capacitancia adecuada para etapas de entrada rápidas