Fotodiodo sensible a las longitudes de onda C30737LH-500-80N

de silicioavalanchade infrarrojos

Descripción: El C30737LH-500-80N es un fotodiodo de avalancha de silicio (Si APD) con un diámetro activo de 500 µm y una respuesta espectral mejorada alrededor de 800 nm. Suministrado en un portador cerámico sin pines (LCC), está diseñado para detección rápida y alta responsividad desde el visible hasta el infrarrojo cercano.

Características clave:

• Alta responsividad entre 500 nm y 1000 nm
• Bajo ruido y tiempos de subida extremadamente rápidos; respuesta en frecuencia superior a 1,3 GHz
• Diámetro activo de 500 µm, optimizado para sensibilidad máxima a 800 nm
• Opción de encapsulado cerámico sin pines ("LH") para compatibilidad con montaje en superficie compacto

Aplicaciones:

• Sistemas LiDAR
• Telemetría láser
• Escaneo y equipos de seguridad
• Aplicaciones con restricción de coste que requieren un detector de alto rendimiento

Especificaciones técnicas:

• Diámetro activo: 500 µm
• Longitud de onda de máxima sensibilidad: 800 nm
• Tensión de ruptura Vbd: 120–210 V (clasificación disponible)
• Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,5 V/°C
• Ganancia: 100 a 800 nm
• Responsividad: 50 A/W a 800 nm
• Corriente de oscuridad Id: 0,1–1 nA
• Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
• Capacitancia: 2 pF
• Tiempo de subida/bajada: 0,3 ns (R carga = 50 Ω)
• Frecuencia de corte: 1,3 GHz
• Temperatura de almacenamiento: -50 °C a +100 °C
• Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
• Paquete: ventana de vidrio 3 x 3 mm, portador cerámico sin pines (LCC)
• Ventana: estándar