Fotodiodo de silicio FFD-100H

PIN

Descripción del producto
El FFD-100H es un fotodiodo PIN de silicio de gran área con un diámetro activo de 2,5 mm en un encapsulado TO-5 hermético. Proporciona alta responsividad entre 400 y 1150 nm con respuesta máxima cerca de 920 nm y tiempos de subida/bajada ultrarrápidos de 1 ns. El dispositivo presenta bajo corriente de oscuridad, bajo NEP y baja tensión de funcionamiento, adecuado para detección óptica de alta velocidad en entornos industriales y de instrumentación.

Características y ventajas

• Fotodiodo PIN de silicio de gran área
• Encapsulado metálico TO-5 hermético
• Diámetro activo: 2,5 mm
• Tiempo de subida/bajada ultrarrápido: 1 ns
• Chip de fotodiodo aislado con baja capacitancia

Aplicaciones

• Sistemas de detección y monitorización láser
• Control de potencia láser e interlocks de seguridad
• Detección de pulsos rápidos para inspección de semiconductores
• Instrumentación y medición de alta velocidad
• Conmutación óptica de alta velocidad

Especificaciones técnicas

• Tensión de ruptura: 150 V
• Capacitancia: 8,5 pF
• Corriente de oscuridad: < 25 nA
• Corriente de ruido: < 90 fA/√Hz
• Encapsulado: TO-5 (hermético)
• Diámetro activo: 2,5 mm
• Rango espectral: 400 nm – 1150 nm
• Responsividad: 0,6 A/W (típ.)
• Responsividad pico (resumen): 920 nm; Longitud de onda pico (tabla spec.): 850 nm
• Tiempo de subida/bajada: 1 ns
• Bajo NEP y baja tensión de funcionamiento