ResumenLa serie C30659 es un receptor APD InGaAs que combina una fotodiodo de avalancha InGaAs con un preamplificador híbrido de bajo ruido en un paquete TO-8 herméticamente sellado. La variante C30659-1550-R08BH incorpora el detector Excelitas C30645EH optimizado para 1550 nm, proporcionando respuesta rápida y bajo ruido para aplicaciones de fibra óptica e instrumentación.
Diseño y funcionamientoEl receptor utiliza una topología de amplificador inversor con un seguidor de emisor como etapa de salida. La sección de preamplificador emplea un FET GaAs de muy bajo ruido que permite una mayor transimpedancia en comparación con diseños estándar, garantizando un acondicionamiento de señal fiable hasta el ancho de banda especificado.
Detalles del detectorLa serie utiliza APD Si o InGaAs según la variante. El C30659-1550-R08BH incluye el detector Excelitas C30645EH InGaAs. Estos detectores muestran buena sensibilidad entre ~830 nm y 1550 nm y tiempos de subida/bajada rápidos, adecuados para detección óptica de alta velocidad en 1550 nm.
Características principales- Ancho de banda del sistema: 200 MHz
- NEP ultra bajo:
- 250 fW/√Hz a 1300 nm
- 220 fW/√Hz a 1550 nm
- Respuesta espectral: pico en 1550 nm
- Consumo típico: 150 mW
- Alimentación del amplificador: ±5 V
- Salida: capacidad de carga 50 Ω acoplada (AC)
- Paquete: TO-8 herméticamente sellado
- Detector incluido: Excelitas C30645EH InGaAs APD (optimizado para 1550 nm)
Especificaciones técnicas- Ancho de banda del sistema: 200 MHz
- NEP: 250 fW/√Hz a 1300 nm; 220 fW/√Hz a 1550 nm
- Respuesta espectral: pico en 1550 nm; respuesta entre ~830 nm y 1550 nm
- Consumo típico: 150 mW
- Tensiones de funcionamiento del amplificador: ±5 V
- Salida: capacidad de carga 50 Ω (AC acoplada)
- Paquete: TO-8 herméticamente sellado
- Detector incluido en esta variante: Excelitas C30645EH InGaAs APD (optimizado para 1550 nm)
- Notas de diseño: amplificador inversor con seguidor de emisor; front-end FET GaAs de bajo ruido para mayor transimpedancia