Fotodiodo UV HPR-1100BGH

de siliciode infrarrojossensible a las longitudes de onda

Descripción del producto
El HPR-1100BGH es un módulo amplificador PIN de silicio de área amplia con un chip de 2,5 mm de diámetro activo alojado en un encapsulado TO hermético con ventana de vidrio. El dispositivo emplea una resistencia de retroalimentación externa para ajustar la relación ancho de banda/ganancia e integra un amplificador de bajo ruido para simplificar el acondicionamiento de la señal.

Características y ventajas:

• Módulo amplificador PIN de silicio
• Encapsulado TO herméticamente sellado y personalizado con ventana de vidrio
• Chip de 2,5 mm de diámetro activo para detección de gran área
• Amplio rango espectral de 250 nm a 1150 nm
• Gran área activa con amplificador integrado de bajo ruido

Aplicaciones:

• Sistemas de detección de baja frecuencia y alta ganancia
• Medidores de potencia óptica
• Detección rápida para disparo de láser
• Instrumentación y equipos de prueba
• Receptores simplificados para enlaces de comunicación de corto alcance y alto rendimiento

Especificaciones
Longitud de onda pico: 900 nm
Responsividad: 130 MV/W con resistencia de retroalimentación de 200 MΩ

Especificaciones técnicas

• Número de pieza: HPR-1100BGH
• Tipo de detector: PIN de silicio
• Diámetro activo: 2,5 mm
• Encapsulado: encapsulado TO hermético (personalizado) con ventana de vidrio
• Rango espectral: 250 nm a 1150 nm
• Longitud de onda pico: 900 nm
• Responsividad: 130 MV/W (con resistencia de retroalimentación 200 MΩ)
• Resistencia de retroalimentación externa para flexibilidad de ancho de banda
• Gran área activa con amplificador integrado de bajo ruido
• Aplicaciones típicas: medición de potencia óptica, disparo rápido de láser, instrumentación, receptores simplificados de corto alcance