Fotodiodo de infrarrojos C30737LH-500-83N

avalanchade siliciosensible a las longitudes de onda

Resumen del producto
El C30737LH-500-83N es un fotodiodo avalancha de silicio (Si APD) con diámetro activo de 500 µm, respuesta mejorada a 800 nm y filtro óptico de banda estrecha a 650 nm. Se suministra en un encapsulado cerámico sin patillas (LCC), opción 'LH', adecuado para integración OEM compacta que requiere sensibilidad selectiva y respuesta temporal rápida.

Características clave

• Alta responsividad con filtro de banda a 650 nm integrado
• Bajo ruido y tiempo de subida rápido en todo el espectro; respuesta en frecuencia superior a 1,3 GHz
• Diámetro activo grande de 500 µm optimizado para NIR (800 nm)
• Encapsulado cerámico sin pines (LCC) opción 'LH' para montaje compacto
• Ganancia ≈ 100 a 650 nm, alta responsividad (35 A/W a 650 nm)

Aplicaciones

• LiDAR y sensores de tiempo de vuelo
• Medición de distancia láser y telemetría
• Sistemas de seguridad y escaneo
• Detectores OEM para detección fotónica de alto rendimiento y bajo coste

Especificaciones técnicas

• Diámetro activo: 500 µm
• Longitud de onda de máxima sensibilidad: 650 nm
• Tensión de avalancha Vbd: 120–210 V (binning disponible)
• Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,5 V/°C
• Ganancia: 100 @ 650 nm
• Responsividad: 35 A/W a 650 nm
• Corriente oscura Id: <1 nA (tip. 0,1 nA)
• Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
• Capacitancia: 2 pF
• Tiempo de subida/bajada: 0,3 ns (Rload = 50 Ω)
• Frecuencia de corte: 1,3 GHz
• Temperatura de almacenamiento: -50 °C a +100 °C
• Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
• Encapsulado: ventana de vidrio 3 × 3 mm, encapsulado cerámico sin patillas (LCC)
• Ventana: filtro 650 nm