Descripción del productoEl C30617BFCH es un fotodiodo PIN InGaAs de alta velocidad con un chip de 100 µm de diámetro activo en un encapsulado TO-18 con lente esférica y receptáculo FC. Ofrece alta eficiencia cuántica entre 800 y 1700 nm y combina baja capacitancia para ampliar el ancho de banda con alta resistencia para lograr sensibilidad, linealidad y uniformidad (variación ≤ 2 %) en el área activa.
Características y ventajas:- Fotodiodo PIN InGaAs de alta velocidad
- Encapsulado: TO-18 con lente esférica y receptáculo FC
- Diámetro activo de 100 µm
- Alta responsividad a 1300 nm y 1550 nm
- Baja capacitancia que permite anchos de banda hasta 3,5 GHz
Aplicaciones:- Telecomunicaciones y enlaces por fibra óptica
- Instrumentación óptica y equipos de prueba
- Transmisión de datos de alta velocidad
- Conmutación de alta velocidad y receptores fotónicos
Especificaciones técnicas- Tensión de ruptura: 100 V
- Tensión de funcionamiento: 5 V
- Capacitancia: 0,45 pF
- Corriente oscura: 1 nA
- Corriente de ruido: 0,02 pA/√Hz
- Encapsulado: Portacerámica (TO-18 con lente esférica y receptáculo FC)
- Diámetro activo: 100 µm
- Rango espectral / Eficiencia cuántica: Alta eficiencia cuántica de 800 nm a 1700 nm; alta responsividad a 1300 nm y 1550 nm
- Responsividad: 0,90 A/W
- Ancho de banda / Tiempo de subida‑bajada: Baja capacitancia que soporta anchos de banda hasta 3,5 GHz; Tiempo de subida/bajada: < 0,5 ps