Fotodiodo de silicio VTB6061CIEH

Descripción
El VTB6061CIEH es un fotodiodo de silicio en un paquete hermético TO-8 con ventana plana e filtro integrado que aproxima la respuesta fotópica del ojo humano. Ofrece un área activa de 37,7 mm², muy alta resistencia de shunt y muy baja corriente de oscuridad, adecuado para medidas de luz de precisión en modo fotovoltaico o con pequeña polarización inversa.

General
El VTB6061CIEH cuenta con un área activa de 37,7 mm² optimizada para aplicaciones fotométricas. Está diseñado principalmente para operación fotovoltaica, aunque puede emplearse con una pequeña polarización inversa. Su alta resistencia de shunt minimiza errores de offset en circuitos amplificadores transimpedancia de alta ganancia.

Características y ventajas

• Rango espectral visible adaptado al ojo humano (fotópico)
• Linealidad del 1%–2% en 7 a 9 décadas
• Corriente de oscuridad muy baja (≤2 nA a 2 V polarización inversa)
• Muy alta resistencia de shunt para bajo offset en diseños de alta ganancia
• Cumple RoHS

Aplicaciones

• Detección de luz ambiental
• Luxómetros y fotómetros
• Monitorización de llamas
• Fotometría y mediciones de laboratorio

Características / Especificaciones técnicas

• Área activa = 37,7 mm²
• Sensibilidad fotométrica = Mínimo 75 nA/fc a 1 fc
• Corriente de oscuridad = Máximo 2 nA a 2 V polarización inversa
• Capacitancia de unión = Típica 8,0 nF a 0 V
• Rango espectral = 460 nm a 675 nm
• Respuesta espectral máxima = 555 nm
• Respuesta angular = ±55° al 50% de respuesta