Descripción del productoEl C30618L-350 es un fotodiodo PIN InGaAs de alta velocidad con un chip de diámetro activo de 350 µm en un encapsulado SMD cerámico con ventana. Proporciona alta eficiencia cuántica en el rango 960 nm a 1700 nm, baja capacitancia para ampliar el ancho de banda y alta resistencia de shunt para sensibilidad, linealidad y uniformidad dentro del 2% en el área activa.
Aplicaciones- Productos optoelectrónicos de consumo de alto volumen
- Receptores de telecomunicaciones
- Instrumentación y equipos de ensayo
- Conmutadores ópticos de alta velocidad
- Referencia de tiempo óptica para telémetros láser
- Sistemas LiDAR
Características y ventajas- Alta ancho de banda hasta 3,5 GHz
- Alta responsividad a 1300 nm y 1550 nm
- Diámetro del área activa: 350 µm
- Baja capacitancia (Típ. 4,0 pF)
- Encapsulado SMD cerámico compacto con ventana
- Posibilidad de personalización (p. ej. filtros ópticos)
- Cumple RoHS
Especificaciones técnicas- Tensión de ruptura: 60 V
- Tensión de funcionamiento: 5 V
- Capacitancia: Típ. 4,0 pF
- Corriente de oscuridad: Típ. <1,0 nA
- Ruido oscuro: Típ. <0,08 pA/√Hz
- Encapsulado: SMD cerámico con ventana
- Diámetro activo: 350 µm
- Eficiencia cuántica / rango espectral: alta QE de 960 nm a 1700 nm
- Responsividad: Típ. 1,05 A/W @ 1550 nm
- Alta responsividad a 1300 nm y 1550 nm
- Tiempo de subida/bajada: Típ. 0,5 ns
- Ancho de banda alto hasta 3,5 GHz
- Alta resistencia de shunt para sensibilidad, linealidad y uniformidad dentro del 2% en el área activa