Fotodiodo de silicio VTB8441H

de infrarrojosUVsensible a las longitudes de onda

Resumen del producto
El VTB8441H es un fotodiodo de silicio con sensibilidad mejorada en el azul, alojado en un encapsulado cerámico empotrado de 8 mm protegido con una capa de epoxi transparente. Proporciona una respuesta mejorada en el rango espectral azul, muy alta resistencia de shunt y baja corriente de oscuridad. El dispositivo tiene un área activa de 5,16 mm² y una respuesta espectral de 320 nm a 1100 nm. Diseñado como fotodiodo planar P-on-N, está optimizado para la parte visible del espectro y se utiliza principalmente en modo fotovoltaico, pudiendo aplicarse un pequeño polarizado inverso en algunas aplicaciones. La alta resistencia de shunt minimiza los offsets en circuitos amplificadores transimpedancia de alta ganancia.

Características y beneficios

• Rango espectral UV a cercano IR
• Linealidad 1 %–2 % en 7 a 9 décadas
• Muy baja corriente de oscuridad
• Muy alta resistencia de shunt
• Compatible con RoHS

Aplicaciones

• Detección de UV y luz azul
• Luxímetros
• Monitorización de llamas
• Fotometría

Especificaciones técnicas

• Área activa = 5,16 mm²
• Rango espectral = 320 nm a 1100 nm
• Respuesta espectral pico = 920 nm
• Sensibilidad en el pico = Típ. 0,5 A/W
• Corriente de cortocircuito = Mínimo 35 µA a 100 fc, 2850 K
• Corriente de oscuridad = Máximo 100 pA a 2 V de polarización inversa
• Capacitancia de unión = Típ. 1,0 nF a 0 V
• Respuesta angular = ±50° al 50 % de respuesta
• Encapsulado = encapsulado cerámico empotrado de 8 mm con protección epoxi transparente
• Construcción = fotodiodo planar P-on-N de silicio, recubrimiento mejorado para azul, muy alta resistencia de shunt, baja corriente de oscuridad