Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30659-1550-R2AH

Descripción del producto
La serie C30659 incluye un fotodiodo de avalancha (APD) en Silicio (Si) o InGaAs con un preamplificador híbrido, en el mismo encapsulado TO-8 herméticamente sellado, para operar con ruido ultrabajo. El modelo C30659-1550-R2AH incorpora un APD InGaAs C30662EH optimizado para 1550 nm.

Características
La serie C30659 presenta un diseño de amplificador inversor con un seguidor de emisor como etapa de salida amortiguada. Los APD de Si empleados en estos dispositivos son los mismos que en los productos C30817EH, C30902EH, C30954EH y C30956EH, mientras que los APD InGaAs se utilizan en los productos C30645EH y C30662EH. Estos detectores ofrecen muy buena respuesta entre 830 y 1550 nm y tiempos de subida y bajada muy rápidos en todas las longitudes de onda. La sección del preamplificador utiliza una etapa de entrada GaAs FET de muy bajo ruido diseñada para operar a una transimpedancia superior a la de nuestra serie estándar C30950.

Especificaciones técnicas

• Ancho de banda del sistema: 50 MHz
• Potencia equivalente de ruido ultra baja (NEP):
  • 150 fW/√Hz a 1300 nm
  • 130 fW/√Hz a 1550 nm
• Rango de respuesta espectral: pico en 1550 nm
• Consumo típico: 150 mW
• Tensiones de funcionamiento del amplificador: ±5 V
• Capacidad de carga AC 50 Ω (AC: acoplado)
• Encapsulado TO-8 herméticamente sellado
• Alta fiabilidad