Fotodiodo de infrarrojos C30822EH

de silicioPIN

Descripción general
El C30822EH es un fotodiodo PIN de silicio (Si) con un chip de 5,0 mm de diámetro activo en un encapsulado TO-8 herméticamente sellado. Cubre el rango espectral de 300 nm a 1100 nm y está disponible en áreas fotosensibles de 0,8 mm² a 100 mm².

Características y ventajas

• Fotodiodo PIN de silicio (Si)
• Encapsulado TO-8 hermético
• Chip de 5,0 mm de diámetro activo
• Recubrimiento antirreflectante optimizado para 900 nm
• Alta responsividad
• Tiempo de respuesta rápido
• Baja tensión de funcionamiento
• Baja capacitancia
• Construcción hermética
• Compatible con RoHS

Aplicaciones

• Sistemas de detección láser
• Fotometría
• Transmisión de datos
• Instrumentación
• Conmutación de alta velocidad

Especificaciones técnicas

• Tensión de ruptura: >100 V
• Capacitancia: 12 pF
• Corriente de oscuridad: 50 nA / <250 nA
• Corriente de ruido: 130 fW/√Hz
• Longitud de onda pico: 900 nm
• Responsividad: 0,6 A/W (a 900 nm)
• Tiempo de subida/bajada: <20 ns / <20 ns