Fotodiodo sensible a las longitudes de onda C30807EH

de silicioPIN

Resumen del producto
El C30807EH es un fotodiodo PIN de silicio tipo N con un chip de diámetro activo de 1,0 mm, montado en un encapsulado TO-18 hermético. Cubre el rango de longitudes de onda de 300 nm a 1100 nm y forma parte de una serie con áreas fotosensibles desde 0,8 mm² hasta 100 mm².

Características y ventajas:

• Alta responsividad (typ. 0,6 A/W a 900 nm)
• Tiempos de respuesta rápidos (<5 / <10 ns)
• Baja tensión de funcionamiento y bajo corriente de oscuridad
• Baja capacitancia (2,5 pF)
• Encapsulado TO-18 hermético para estabilidad
• Compatible con RoHS

Aplicaciones:

• Sistemas de detección y monitorización láser
• Instrumentos de fotometría y medición de luz
• Receptores para transmisión de datos ópticos
• Instrumentación de precisión y sensores
• Conmutación óptica de alta velocidad

Especificaciones (típicas):
Tensión de ruptura: >100 V
Capacitancia: 2,5 pF
Corriente de oscuridad: 10 nA / <50 nA
Corriente de ruido: 60 fW/√Hz
Longitud de onda pico: 900 nm
Responsividad: 0,6 A/W a 900 nm
Tiempo de subida/bajada: <5 ns / <10 ns

Características / Especificaciones técnicas

• Tipo de dispositivo: fotodiodo PIN de silicio tipo N
• Diámetro activo: 1,0 mm
• Encapsulado: TO-18 hermético
• Rango de longitudes de onda: 300 nm a 1100 nm
• Rango de área fotosensible (serie): 0,8 mm² a 100 mm²
• Compatible con RoHS