Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30659-900-R5BH

Descripción
La serie C30659 incluye una fotodiodo de avalancha de silicio (Si APD) con un preamplificador híbrido en un paquete TO-8 herméticamente sellado para detección de muy bajo ruido. La variante C30659-900-R5BH incorpora un APD Si C30902EH con pico de respuesta a 900 nm y diámetro activo de 0,5 mm.

Principales características y descripción funcional
El módulo emplea una topología de amplificador inversor con un seguidor de emisor como etapa de salida. El frente del preamplificador utiliza un FET GaAs de muy bajo ruido para lograr una transimpedancia superior a la de la serie estándar C30950. Los APD Si de la familia C30659 son los mismos que los utilizados en los productos C30817EH, C30902EH, C30954EH y C30956EH; los APD InGaAs se emplean en las variantes C30645EH y C30662EH. Estos detectores proporcionan buena sensibilidad entre el visible y el infrarrojo cercano y presentan tiempos de subida y bajada rápidos en todo el rango de longitudes de onda.

Aplicaciones

• Fotodetección de bajo ruido en paquetes compactos y herméticos
• Sistemas que requieren respuesta temporal rápida y preamplificación de alta transimpedancia

Especificaciones técnicas

• Ancho de banda del sistema: 200 MHz
• Potencia equivalente de ruido (NEP): 35 fW/√Hz a 830 nm; 40 fW/√Hz a 900 nm
• Rango de respuesta espectral: 400 a 1100 nm
• Consumo típico: 150 mW
• Tensiones de funcionamiento del amplificador: ±5 V
• Capacidad de carga AC de 50 Ω (AC acoplado)
• Paquete TO-8 herméticamente sellado
• Elemento detector activo: C30902EH Si APD, pico de respuesta 900 nm, diámetro activo 0,5 mm