Módulo fotodiodo de avalancha (APD) C30817EH

Descripción
El fotodiodo avalanche de silicio C30817EH (Si APD) es un detector versátil de alta velocidad basado en una estructura reach-through de doble difusión. Proporciona alta sensibilidad en el rango espectral 400–1100 nm, tiempos de subida y bajada rápidos (~2 ns) y una caída sin cola, lo que mantiene una responsividad constante hasta aproximadamente 200 MHz. El dispositivo está sellado herméticamente detrás de una ventana de vidrio plano en un encapsulado TO-5 de perfil bajo modificado; diámetro del área activa: 0,8 mm.

Características clave

• Alta eficiencia cuántica
  • 85 % típico a 900 nm
  • 18 % típico a 1060 nm
• Respuesta espectral: 400–1100 nm
• Respuesta temporal rápida: tiempos de subida y bajada típicos 2 ns
• Caída sin cola — rendimiento estable a altas frecuencias de modulación
• Encapsulado TO-5 hermético de perfil bajo con ventana de vidrio plano

Aplicaciones

• Detección y monitorización láser
• Telemetría óptica y subsistemas LIDAR
• Comunicaciones ópticas y receptores
• Conmutación de alta velocidad y medidas en pulsos
• Mediciones de tiempo de tránsito y sincronización

Especificaciones

• Responsividad: 75 A/W a 900 nm
• Responsividad: 18 A/W a 1060 nm

Especificaciones técnicas

• Modelo: C30817EH
• Tipo de detector: Fotodiodo avalanche de silicio (Si APD)
• Rango espectral activo: 400–1100 nm
• Diámetro del área activa: 0,8 mm
• Eficiencia cuántica: 85 % típico a 900 nm; 18 % típico a 1060 nm
• Responsividad: 75 A/W a 900 nm; 18 A/W a 1060 nm
• Respuesta temporal: tiempos de subida y bajada típicos 2 ns; caída sin cola
• Frecuencia de modulación: responsividad estable hasta ~200 MHz
• Encapsulado: TO-5 de perfil bajo modificado, herméticamente sellado con ventana de vidrio plano