Fotodiodo de silicio VTB1012BH

sensible a las longitudes de ondaPIN

Descripción del producto
El VTB1012BH es un fotodiodo de silicio en encapsulado hermético TO-46 con ventana plana, con un área activa de 1,6 mm² y un filtro integrado de rechazo IR que limita la respuesta al espectro visible. Presenta una resistencia de shunt muy alta y una corriente de oscuridad muy baja. Estos fotodiodos están diseñados principalmente para operación en modo fotovoltaico, aunque pueden utilizarse con un pequeño sesgo inverso; la alta resistencia de shunt reduce los desplazamientos en circuitos amplificadores transimpedancia de alta ganancia. Cumple RoHS.

Características y beneficios

• Respuesta espectral en el visible
• Linealidad del 1%–2% en 7 a 9 décadas
• Corriente de oscuridad muy baja
• Resistencia de shunt muy alta
• Cumple RoHS

Aplicaciones

• Control y conmutación de iluminación interior y exterior
• Atenuación de faros automotrices
• Control del contraste de pantallas
• Sistemas de ahorro de energía

Especificaciones técnicas

• Área activa = 1,6 mm²
• Corriente de cortocircuito = Mínimo 0,8 µA a 100 fc, 2850 K
• Corriente de oscuridad = Máximo 100 pA a 2 V de polarización inversa
• Capacidad de unión = Típica 0,31 nF a 0 V de polarización
• Rango espectral = 330 nm a 720 nm
• Respuesta espectral máxima = 580 nm
• Sensibilidad en la longitud de pico = Típica 0,29 A/W
• Respuesta angular = ±35° al 50% de respuesta