Módulo fotodiodo de avalancha (APD) LLAM-1060E-R8BH

Descripción del producto
El LLAM-1060E-R8BH es un módulo receptor APD (fotodiodo de avalancha) analógico de alta velocidad y baja luz que incorpora un APD de silicio (Si) de 1060 nm con un diámetro activo de 0,8 mm y un ancho de banda de 200 MHz. Un enfriador termoeléctrico estabiliza la temperatura del detector para reducir el ruido y mantener una responsividad constante.

Descripción de la serie
La serie LLAM integra un chip APD, un enfriador termoeléctrico (TE) y un preamplificador en un paquete herméticamente sellado con brida TO-66 modificada de 12 pines. Totalmente conforme a RoHS, el módulo facilita la disipación térmica adicional y una instalación sencilla. El enfriamiento TE asegura menor ruido y responsividad estable en un rango ambiental de 5°C a 40°C. La serie LLAM está diseñada para la detección de señales analógicas de alta velocidad y baja luminosidad. Los módulos preamplificadores Excelitas InGaAs LLAM-1060E y -1550E presentan umbrales de daño mejorados para mayor resistencia a densidades elevadas de potencia óptica. El LLAM-1060E-R8BH incluye el APD Excelitas C30954EH.

Aplicaciones

• Detección de distancia láser
• Reconocimiento de objetivos
• Sensado de temperatura distribuido (DTS)
• Microscopía confocal
• Instrumentación analítica
• Comunicación óptica en espacio libre de alta velocidad

Tabla de rendimiento
30 — 90 fW/√Hz a 830 nm
25 — 80 fW/√Hz a 900 nm
50 — 150 fW/√Hz a 1064 nm

Especificaciones / Características técnicas

• Modelo: LLAM-1060E-R8BH
• Tipo de detector: fotodiodo de avalancha de silicio (Si), 1060 nm
• APD incluido: Excelitas C30954EH
• Diámetro activo: 0,8 mm
• Ancho de banda: 200 MHz
• Paquete: brida TO-66 modificada de 12 pines, herméticamente sellado
• Control térmico: enfriador termoeléctrico (TE) para menor ruido y responsividad estable entre 5°C y 40°C
• Preamplificador integrado incluido
• Conforme a RoHS
• Diseñado para la detección de señales analógicas de alta velocidad y baja luz
• Umbrales de daño mejorados (observados en módulos preamplificadores InGaAs LLAM-1060E y -1550E)
• Ejemplos de rendimiento de ruido: 90 fW/√Hz a 830 nm; 80 fW/√Hz a 900 nm; 150 fW/√Hz a 1064 nm