Resumen del productoEl fotodiodo avalancha de silicio C30737PH-500-90N (Si APD) proporciona un diámetro activo de 500 µm y está optimizado para respuesta reforzada a 900 nm. Se suministra en encapsulado plástico T 1¾ pasante y ofrece alta responsividad y respuesta temporal rápida para aplicaciones de detección óptica.
Características clave- Alta responsividad entre 500 y 1000 nm, con pico alrededor de 900 nm
- Bajo ruido y tiempos de subida muy rápidos; respuesta en frecuencia por encima de 380 MHz
- Diámetro activo de 500 µm optimizado para detección en el cercano infrarrojo
- Opción de encapsulado plástico T 1¾ (PH)
Aplicaciones- Sistemas LiDAR
- Telemetría láser
- Equipos de seguridad y escaneo
- Aplicaciones de bajo coste que requieren un detector de alto rendimiento
Especificaciones- Diámetro activo: 500 µm
- Longitud de onda de sensibilidad máxima: 900 nm
- Tensión de ruptura Vbd: 180–260 V (binning disponible)
- Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 1,3 V/°C
- Ganancia: 100 @ 900 nm
- Responsividad: 60 A/W a 800 nm
- Corriente de oscuridad Id: <1 nA
- Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
- Capacitancia: 1 pF
- Tiempo de subida/bajada: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
- Frecuencia de corte: 380 MHz
- Temperatura de almacenamiento: -50 °C a +100 °C
- Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
- Encapsulado: plástico T 1¾ pasante
Especificaciones técnicas- Diámetro activo: 500 µm
- Longitud de onda de sensibilidad máxima: 900 nm
- Tensión de ruptura Vbd: 180–260 V (binning disponible)
- Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 1,3 V/°C
- Ganancia: 100 @ 900 nm
- Responsividad: 60 A/W a 800 nm
- Corriente de oscuridad Id: <1 nA
- Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
- Capacitancia: 1 pF
- Tiempo de subida/bajada: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
- Frecuencia de corte: 380 MHz
- Temperatura de almacenamiento: -50 °C a +100 °C
- Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
- Encapsulado: plástico T 1¾ pasante