Fotodiodo de infrarrojos C30737PH-500-90N
sensible a las longitudes de ondaavalanchade silicio

Fotodiodo de infrarrojos - C30737PH-500-90N - Excelitas Technologies - PCO - sensible a las longitudes de onda / avalancha / de silicio
Fotodiodo de infrarrojos - C30737PH-500-90N - Excelitas Technologies - PCO - sensible a las longitudes de onda / avalancha / de silicio
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Características

Especificaciones
de infrarrojos, sensible a las longitudes de onda, avalancha, de silicio, LIDAR

Descripción

Resumen del producto
El fotodiodo avalancha de silicio C30737PH-500-90N (Si APD) proporciona un diámetro activo de 500 µm y está optimizado para respuesta reforzada a 900 nm. Se suministra en encapsulado plástico T 1¾ pasante y ofrece alta responsividad y respuesta temporal rápida para aplicaciones de detección óptica.

Características clave
  • Alta responsividad entre 500 y 1000 nm, con pico alrededor de 900 nm
  • Bajo ruido y tiempos de subida muy rápidos; respuesta en frecuencia por encima de 380 MHz
  • Diámetro activo de 500 µm optimizado para detección en el cercano infrarrojo
  • Opción de encapsulado plástico T 1¾ (PH)

Aplicaciones
  • Sistemas LiDAR
  • Telemetría láser
  • Equipos de seguridad y escaneo
  • Aplicaciones de bajo coste que requieren un detector de alto rendimiento

Especificaciones
  • Diámetro activo: 500 µm
  • Longitud de onda de sensibilidad máxima: 900 nm
  • Tensión de ruptura Vbd: 180–260 V (binning disponible)
  • Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 1,3 V/°C
  • Ganancia: 100 @ 900 nm
  • Responsividad: 60 A/W a 800 nm
  • Corriente de oscuridad Id: <1 nA
  • Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
  • Capacitancia: 1 pF
  • Tiempo de subida/bajada: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
  • Frecuencia de corte: 380 MHz
  • Temperatura de almacenamiento: -50 °C a +100 °C
  • Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
  • Encapsulado: plástico T 1¾ pasante

Especificaciones técnicas
  • Diámetro activo: 500 µm
  • Longitud de onda de sensibilidad máxima: 900 nm
  • Tensión de ruptura Vbd: 180–260 V (binning disponible)
  • Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 1,3 V/°C
  • Ganancia: 100 @ 900 nm
  • Responsividad: 60 A/W a 800 nm
  • Corriente de oscuridad Id: <1 nA
  • Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
  • Capacitancia: 1 pF
  • Tiempo de subida/bajada: 0,9 ns (Rload = 50 Ω)
  • Frecuencia de corte: 380 MHz
  • Temperatura de almacenamiento: -50 °C a +100 °C
  • Temperatura de funcionamiento: -40 °C a +85 °C
  • Encapsulado: plástico T 1¾ pasante

Catálogos

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Ferias

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electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 nov. 2026 Munich (Alemania) Hall B4 - Stand 302

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