Fotodiodo de infrarrojos C30737LH-300-70N

sensible a las longitudes de ondade silicioavalancha

Descripción del producto:
El C30737LH-300-70N es un fotodiodo avalanche de silicio (Si APD) que ofrece un diámetro activo de 300 µm y una sensibilidad aumentada alrededor de 800 nm en un encapsulado cerámico sin pines (LCC). Está diseñado para detección óptica rápida con amplia responsividad espectral y bajo ruido, adecuado para telemetría láser y sensores ópticos de precisión.

Características clave:

• Alta responsividad de 500 nm a 1000 nm, con pico en 800 nm
• Bajo ruido y tiempo de subida muy rápido; respuesta en frecuencia superior a 700 MHz
• Diámetro activo de 300 µm optimizado para 800 nm
• Opción de encapsulado cerámico sin pines LH (LCC)

Aplicaciones:

• Telemetría láser y medidores de distancia
• Escaneo de áreas y sistemas de seguridad
• Módulos detectores ópticos de alto rendimiento y coste controlado

Especificaciones técnicas:

• Diámetro activo: 300 µm
• Longitud de onda de sensibilidad máxima: 800 nm
• Tensión de ruptura (Vbd): 110–165 V
• Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,6 V/°C
• Ganancia: 100 @ 800 nm
• Responsividad: 55 A/W a 800 nm
• Corriente de oscuridad: 1 nA
• Corriente de ruido: 0,2 pA/√Hz
• Capacitancia: 0,7 pF
• Frecuencia de corte: 700 MHz
• Temperatura de almacenamiento: -40°C a +100°C
• Temperatura de funcionamiento: -20°C a +60°C
• Encapsulado: portador cerámico sin pines (LCC) 3×3 mm con ventana de vidrio
• Ventana: ventana estándar