Descripción del producto:El C30737LH-230-83N, fotodiodo de avalancha de silicio (Si APD), ofrece un diámetro activo de 230 µm, respuesta mejorada en 800 nm y un paso de banda óptico integrado a 650 nm en un encapsulado cerámico sin pines 3 x 3 mm con ventana de vidrio (LCC), opción LH.
Características clave:- Alta responsividad filtrada a 650 nm
- Bajo ruido y tiempo de subida muy rápido en todas las longitudes de onda; respuesta en frecuencia > 1,5 GHz
- Diámetro activo 230 µm, optimizado para 800 nm
- Filtro óptico paso de banda integrado a 650 nm
- Encapsulado Leadless Ceramic Carrier (LCC), opción LH
Aplicaciones:- LiDAR
- Medición de distancia láser
- Escaneo de seguridad
- Aplicaciones que requieren detectores de alto rendimiento y bajo coste
Especificaciones:- Diámetro activo: 230 μm
- Longitud de onda de máxima sensibilidad: 650 nm
- Tensión de ruptura (Vbd): 120-210 (binned disponible)
- Coeficiente de temperatura de Vop para M constante: 0,5 V/°C
- Ganancia: 100 @ 650 nm
- Responsividad: 35 A/W a 650 nm
- Corriente oscura (Id): 0,05 nA (típica); <0,5 nA (máx)
- Corriente de ruido: 0,1 pA/√Hz
- Capacitancia: 1 pF
- Tiempo de subida/caída: 0,2 ns (carga R = 50 Ω)
- Frecuencia de corte: 1,5 GHz
- Temperatura de almacenamiento: -50°C a +100°C
- Temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C
- Encapsulado: 3 x 3 mm, ventana de vidrio, Leadless Ceramic Carrier (LCC)
- Ventana: filtro 650 nm