Fotodiodo sensible a las longitudes de onda VTH2120

de siliciochip on carrier

Descripción general El fotodiodo de silicio VTH2120 en formato chip presenta un área activa de 100 mm² (10×10 mm) y un diseño de baja capacitancia optimizado para la detección de partículas alfa, como en aplicaciones de monitorización de radón. La construcción en chip, resistente a la radiación, minimiza la absorción asociada a las ventanas, aumentando la responsividad a las partículas de interés. Ofrece respuesta espectral de 400 nm a 1100 nm, con un pico a 940 nm y una sensibilidad típica de 0,70 A/W. Opciones de embalaje: waffle pack o Mylar (preferido). Existe una variante de área activa menor: VTH2110 (5×5 mm).

Especificaciones

• Área activa: 100 mm² (10×10 mm)
• Corriente en oscuridad: ≤ 5 nA a 20 V de polarización inversa
• Capacitancia de unión: ≤ 120 pF a 20 V de polarización inversa
• Rango espectral: 400 nm – 1100 nm
• Respuesta espectral pico: 940 nm
• Sensibilidad a la longitud de onda pico: típ. 0,70 A/W
• Voltaje de ruptura: > 100 V

Aplicaciones

• Detección de radón
• Detección de partículas alfa
• Detección de luz ambiental

Características técnicas

• Factor de forma: chip
• Diseño de baja capacitancia para mejorar el rendimiento de la señal
• Alta responsividad a partículas alfa por diseño sin ventana
• Embalajes disponibles: waffle pack o Mylar
• Modelo alternativo más pequeño: VTH2110 (5×5 mm)